Samsung, ecco le prime DRAM DDR4 a 10nm di terza generazione

21 Marzo 2019 3

Dopo le memorie HBM2E FlashBolt presentate ieri, Samsung Electronics annuncia oggi di aver realizzato il primo chip DRAM DDR4 da 8Gb con processo produttivo a 10 nanometri di terza generazione (1z-nm). Stando alla nota dell'azienda, il nuovo nodo 1z-nm sarà il più piccolo utilizzato per produrre chip DRAM DDR4, permettendo di soddisfare l'attuale richiesta del mercato con un prodotto che offrirà una resa produttiva il 20% superiore rispetto alla precedente generazione (1x-nm) presentata solo 16 mesi fa. | Samsung: avviata la produzione delle RAM DDR4 a 10nm di seconda generazione.


A proposito del nuovo annuncio, Jung-bae Lee, vice presidente esecutivo di DRAM product & technology Samsung Electronics, dichiara:

Il nostro impegno a superare le più grandi sfide della tecnologia ci ha sempre spinto verso una maggiore innovazione. Siamo lieti di aver gettato di nuovo le basi per una produzione di DRAM di nuova generazione che garantisca le massime prestazioni e l'efficienza energetica. Man mano che sviluppiamo la nostra gamma DRAM da 1-nm, Samsung punta a supportare i suoi clienti globali nello sviluppo di sistemi all'avanguardia e nella diffusione del mercato delle memorie premium.

Lo sviluppo delle DRAM 1z-nm apre la strada a una transizione IT globale accelerata verso interfacce DRAM di prossima generazione come DDR5, LPDDR5 e GDDR6 che alimenteranno un'ondata di innovazione digitale futura. I successivi prodotti 1z-nm con capacità e prestazioni superiori consentiranno a Samsung di rafforzare la propria competitività aziendale e consolidare la propria leadership nel mercato delle DRAM premium per applicazioni che includono server, grafica e dispositivi mobili.

La produzione in volumi delle DDR4 1z-nm 8Gb inizierà nella seconda metà dell'anno, i primi prodotti per il mercato server e consumer di fascia alta arriveranno invece nel 2020. Samsung non ha reso note ulteriore informazioni tecniche, tuttavia dai nuovi chip DDR4 ci aspettiamo miglioramenti sia dal punto di vista prestazionale che dell'efficienza energetica.


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Alessio Ferri

Per vostra informazione 1z non sono 10 nanometri, la z è una cifra diversa da 0, probabilmente 5 o 6, considerando che prima la 'x' era 9

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