SK Hynix annuncia nuove memorie DDR4 da 8Gb e 3200 Mbps

12 Novembre 2018 4

SK Hynix ha presentato nuove memorie DRAM DDR4 da 8Gb costruite con processo produttivo a 1Ynm, caratteristica quest'ultima che ha permesso all'azienda di migliorare nettamente l'efficienza energetica rispetto alla precedente generazione. Stando ai dati forniti dal produttore, le DDR4 da 8Gb prodotte a 1Ynm (ossia con un processo produttivo tra 14 e 16nm) consumano il 15% in meno rispetto ai chip DDR4 costruite con processo 1Xnm (16/19nm), migliorando allo stesso tempo la produttività del 20%.


Le DDR4 SK Hynix 8Gb 1Ynm offrono poi una velocità di trasferimento dati fino a 3200 Mbps, garantendo al tempo stesso una migliore efficienza e stabilità del segnale di clock grazie a un nuovo metodo che prevede uno schema di clock a 4 fasi. Un'ulteriore novità sotto il profilo della stabilità e dell'efficienza energetica è costituita dalla tecnologia Sense Amp. Control, affiancata tra l'altro da una rivisitazione della struttura dei transistor.

Queste le parole di Sean Kim, vice presidente del marketing DRAM per SK Hynix:

Le DDR4 8Gb 1Ynm offorno densità e prestazioni ottimali per i nostri clienti; SK Hynix ha intenzione di iniziare le spedizioni già entro il primo trimestre del 2019.

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Commenti

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sardanus

scusate ma le ram di ora non viaggiano a 20GB/s?

Chris Parussin

Tra 14 e 16 ci sono anche altri numeri oltre al 15....... E poi non sono tutti identici

Alessio Ferri

Non hai capito, proprio tra 14 e 16, non riescono a far venire i transistor così precisi.

John

"1Ynm (ossia con un processo produttivo tra 14 e 16nm)"

15?

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