Samsung, V-NAND di quinta generazione per gli SSD che verranno

10 Luglio 2018 2

Samsung ha annunciato ufficialmente l'inizio della produzione di massa di una nuova generazione di memorie V-NAND che verranno utilizzate per equipaggiare gli SSD del futuro. Ovviamente l'azienda coreana dichiara di avere tra le mani i chip di memoria V-NAND con le più alte velocità di trasferimento dati ad oggi disponibili.

Si tratta del primo caso di implementazione della nuova interfaccia "Toggle DDR 4.0" che dovrebbe permettere una velocità di trasferimento dati sulle nuove memorie V-NAND da 256Gb alla velocità di 1.4Gbps, con un incremento rispetto alla precedente generazione quantificato in un significativo 40%.

L'efficienza energetica delle nuove memorie V-NAND è rimasta praticamente invariata rispetto ai chip a 64 livelli. Il merito è anzitutto del voltaggio richiesto che è stato abbassato passando da 1.8V a 1.2V. Le nuove memorie V-NAND sono anche caratterizzate da velocità di scrittura superiori, con un miglioramento del 30% circa rispetto alla precedente generazione e una risposta ai segnali di lettura ridotta di circa 50 microsecondi.

All'interno di queste memorie V-NAND di quinta generazione troviamo più di 90 livelli di celle 3D CTF (Charge Trap Flash), il più alto numero di celle mai impilate in una struttura piramidale fino ad oggi, con dei canali miscroscopici che le collegano tra loro verticalmente.

Il vice presidente esecutivo della divisione Flash Products and Technology di Samsung ha quindi dichiarato che "la quinta generazione di prodotti e soluzioni V-NAND offrirà la più avanzata tecnologia NAND attualmente disponibile in un mercato, quello delle memorie premium, in continua e rapida crescita". Kye Hyun Kyung ha poi anche aggiunto che oltre alla nuova generazione di memorie V-NAND, Samsung sarebbe in procinto di annunciare chip di memoria V-NAND da 1Tb di tipo QLC.

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Commenti

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Gio

La smettete di scrivere quella parolaccia con la v per favore ?

Alessio Ferri

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