15 Gennaio 2015
Secondo le ultime informazioni fornite degli analisti di settore, Samsung avrebbe in mente di passare a breve al processo produttivo a 25 nanometri per le proprie Memorie DRAM. Questa decisione non è certamente nuova, tuttavia avrebbe preso una certa priorità visto l'andamento del mercato e le attuali strategie dei maggiori competitor dell'azienda, Micron ed SK Hynix.
Attualmente la maggior parte delle memorie DRAM, ci riferiamo soprattutto a quelle presenti sui device mobili, sono costruite con il vecchio processo a 65 nanometri che, inutile dirlo, è sicuramente poco efficiente rispetto a quello che il mercato può realmente offrire.
Se a questo aggiungiamo che Micron non completerà la propria transizione ai 25 nm prima di fine anno, e Hynix è piuttosto ferma dopo l'incendio che ha colpito la fabbrica in Cina, la mossa di Samung dimostra quindi una tempistica perfetta.
Oltre a questo però, parlando dal "lato utente", l'upgrade ai 25 nanometri offrirà chip sicuramente più efficienti ma anche prestazioni sempre migliori per i device di nuova generazione; speriamo solo che i prezzi non ne risentano!
Commenti
Grazie, non si parla spesso di nanometro nelle RAM, ma più nei processori
Si, riducendo il processo produttivo riduci anche i consumi poichè per alimentare la singola cella di memoria serve una potenza minore!
Questo comporterebbe un risparmio energetico?