Samsung pronta a spedire le prime Memorie Nand 3D Verticali

06 Agosto 2013 2

Una delle sfide che i produttori si trovano ad affrontare nella produzione di memorie Flash ad alta capacità è sicuramente rappresentata dalla densità, che, nella maggior parte delle volte, risulta l'elemento determinante nella riuscita del prodotto stesso. A questo proposito Samsung, azienda in prima linea quando parliamo di memorie flash, sembra aver superato questo problema con la creazione delle prime memorie 3D Verticali.

Invece del classico posizionamento su un piano 2D, Samsung ha assemblato le nuove V-Nand rielaborando la già esistente Tecnologia Charge Trap Flash, riuscendo a creare una vera e propria struttura 3D. Il risultato ottenuto è una memoria a più alta densità, più affidabile e da 2 a 10 volte più veloce rispetto agli attuali standard.

Il primo chip di questo tipo avrà una capacità di 16 GB ma l'azienda assicura un'ottima scalabilità; è molto probabile che vedremo questi chip sui prossimi device dell'azienda, forse entro l'anno.

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Commenti

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Maurizio Mugelli

queste soluzioni 3d vengono implementate perche' le 2d non possono calare ulteriormente di prezzo, non il contrario...
il costo di un chip e' fondamentalmente al m2

Giovanni Benevento

Già vedo le soluzioni 2D calare di prezzo e un SSD da 512GB a meno di 200€!
OK, forse corro troppo con l'entusiasmo...

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