28 Marzo 2024
Samsung a mezzo di comunicato stampa annuncia la realizzazione di moduli RAM DDR3 con capacità di 32GB e processo produttivo a 30nm, l'ideale per sistemi server e per could computing.
Questi moduli, che stando a quanto dichiara il produttore aumenteranno l'efficienza dei sistemi, operano a 1866 Mbps con soli 1,35 Volt, caratteristica che permette di consumare il 20% in meno dei moduli da 32GB a 40nm. Samsung dichiara inoltre di essere già a lavoro sull'evoluzione di queste memorie che saranno costruite a 20nm.
Commenti
mi sa un piccolo errore di scrittura:
1866Mbps corrispondono a 233 MB/s, che è la velocità dei Vertex 2 -.-
decisamente troppo lente.. xD
Gbps magari?