Intel Transistor 3D Tri-Gate: nuovi transistor a 22 nanometri

Michele Bruno | mag 05, 2011

Intel ha annunciato oggi un significativo passo avanti nell’evoluzione del transistor. Per la prima volta, dopo l’invenzione del transistor al silicio più di 50 anni fa, il transistor con struttura a tre dimensioni sarà messo in produzione in grandi quantità.

Intel introdurrà un transistor con design rivoluzionario 3D chiamato Tri-Gate che costituirà una svolta fondamentale dalla struttura bidimensionale che i transistor ad oggi presentano e che hanno alimentato non solo tutti i computer, telefoni cellulari e apparecchi di elettronica di consumo, ma anche i controlli elettronici all’interno di autovetture, veicoli spaziali, elettrodomestici, dispositivi medici e praticamente migliaia di altri dispositivi di uso quotidiano, per decenni.

Paul Otellini, presidente e CEO di Intel, ha commentato: “Gli scienziati e gli ingegneri hanno ancora una volta reinventato il transistor, questa volta utilizzando la terza dimensione. I dispositivi saranno creati applicando la Legge di Moore“.

Gli scienziati hanno da tempo riconosciuto i benefici di una struttura 3D per sostenere il ritmo della Legge di Moore. La chiave di volta è la capacità di Intel di distribuire il suo transistor in 3D tri-gate in produzione ad alto volume, inaugurando la nuova era della Legge di Moore e aprendo le porte a una nuova generazione di innovazioni in un ampio spettro di dispositivi.

Ma cos’è la Legge di Moore? E’ una previsione del ritmo di sviluppo della tecnologia del silicio che indica che ogni due anni la densità di transistor raddoppierà, aumentando al contempo la funzionalità e prestazioni con conseguente calo dei costi.

I nuovi transistor Intel 3D tri-gate consentono di operare a basso voltaggio, fornendo una combinazione migliore tra risparmio energetico ed efficienza. I transistor a 22 nanometri 3D tri-gate forniscono fino al 37 per cento di aumento delle prestazioni a bassa tensione. Questo incredibile aumento significa che sono ideali per l’utilizzo in piccoli dispositivi palmari, che operano utilizzando poca energia. In alternativa, i nuovi transistor consuma meno della metà della potenza quando alle stesse prestazioni dei transistor planare 2-D su chip a 32 nm.

Vi lasciamo con il video di presentazione fatto da Mark Bohr